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    • 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    20

    驱动电压(V)：

    10

    通道（dào）极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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