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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    150

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    180

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,180mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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