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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    83

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    99

    最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    40

    通道（dào）极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述：

    600V，99mΩ，40A，N沟道基于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET



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