开云



    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    25

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    550V,140mΩ,25A,N沟道（dào）基（jī）于超（chāo）级结技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET



    开云

    开云