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    • 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    75

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    90

    最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    40

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述（shù）：

    600V,90mΩ,40A,N沟道基于超级结技（jì）术的（de）功（gōng）率MOSFET


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