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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    11

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描述（shù）：

    650V,360mΩ,5A,N沟道基于（yú）超级（jí）结技（jì）术的功率MOSFET



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