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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    11

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET


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