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    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    7

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-251-3L/-55~125

    描述（shù）：

    650V,600mΩ,7A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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