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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    83

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    99

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    40

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封（fēng）装/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,99mΩ,40A,N沟道（dào）基于超级（jí）结技术（shù）的功率MOSFET


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