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    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    700

    导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    380

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    430

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    11

    通道（dào）极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    700V,430mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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