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    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    290

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    15

    通道极性：

    N沟道

    封（fēng）装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-252-2L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,290mΩ,15A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技术的（de）功率（lǜ）MOSFET


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