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    • 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最大（dà）漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    25

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述（shù）：

    550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的（de）功率（lǜ）MOSFET


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