开云



    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    100

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    125

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    30

    通道极性：

    N沟道

    封（fēng）装/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,125mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


    开云

    开云