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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最大漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

    25

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    550V,140mΩ,25A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



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