开云



    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    65

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    70

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    47

    通（tōng）道极性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述（shù）：

    650V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


    开云

    开云