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    • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    65

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    70

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    47

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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