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    • 漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    25

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述（shù）：

    550V,140mΩ,25A,N沟道（dào）基于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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