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    • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    700

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    850

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    5

    通道极性：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



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