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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    700

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    900

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    1100

    最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    5

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-252-2L(DPAK)/-55~125

    描述：

    700V,1100mΩ,5A,N沟道（dào）基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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