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    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    130

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    30

    通（tōng）道极性：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述（shù）：

    600V,130mΩ,30A,N沟道基于超级结技术（shù）的（de）功率MOSFET


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