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    • 漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    通道极性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3/-55~125

    描述（shù）：

    600V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基（jī）于超级结（jié）技（jì）术的功率MOSFET


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