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    • 漏源（yuán）电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大漏极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

    7

    通道极性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-251-3L(IPAK)/-55~125

    描述（shù）：

    650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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