开云



    • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    130

    最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    30

    通道（dào）极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    600V,130mΩ,30A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率（lǜ）MOSFET


    开云

    开云