开云



    • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    280

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    15

    驱动电（diàn）压(V)：

    10

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封（fēng）装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220-3L/-55~125

    描述（shù）：

    650V,280mΩ,15A,N沟道基于（yú）超级结技（jì）术的功率MOSFET


    开云

    开云